一、主體不同
1、場效應：V型槽MOS場效應管。是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。
2、MOS管：金屬-氧化物-半導體型場效應管屬于絕緣柵型。
二、特性不同
1、場效應：不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（**可耐壓1200V）、工作電流大（1.*～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。
2、MOS管：主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（**可達1015Ω）。
總結：
1. 場效應管（FET）分為MOS場效應管（MOSFET）和結型場效應管（JFET）。現在主要使用MOS場效應管，即通常所稱的MOS管。
2. MOS是金屬（Metal）-氧化物（Oxide）-半導體（Semiconductor）的簡稱，即柵-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“結”，表示PN結的結。FET代表Field Effect Transistor，即場效應管。
