在通常的LDO設計中，熱阻參數的考慮常常被忽略。但是，該參數對電源系統的影響卻是很大的，因為LDO的該參數若是選擇不當，就容易造成LDO芯片功耗過大、過熱而進入熱保護狀態，導致電源斷電。
***近在一個系統的電源芯片的選型中（系統輸入為3.3V，需要得到1.8V的電壓，該1.8V所需**電流250mA左右），為了減小紋波對系統性能的影響，考慮用LDO來進行電壓轉換，***初選擇了Sipex一個LDO（SP6205EM5-ADJ，SOT-23-5）。
該芯片的主要參數為：2.7V~5.5V的電壓輸入范圍；500mA電流輸出；輸出電壓可調；具有限流和熱保護功能；等。
咋一看，該電源芯片可滿足系統需求，250mA的所需電流用500mA也是余量足夠了。但與同事討論，其說該芯片根本達不到500mA的輸出電流，因為其熱阻較高。于是，我開始詳細的閱讀該芯片Datasheet，發現其確實存在該問題。
計算得到的實際**輸出電流為：I(load(max)) =523mW/(3.3-1.8)V= 347mA，與芯片500mA的輸出電流相比，顯然不滿足要求！而且，該電流**值是在環境溫度25℃理想情況下計算得到的，隨著工作時間的推移，芯片的溫度會逐漸升高，該輸出電流的**值還會進一步降低。其500mA的輸出電流只有在輸入輸出壓差1V以內、室溫25℃的情況下才可以得到。
以下討論都是以該芯片的SOT-23-5封裝為例說明。
Thermal Resistance： SOT-23-5（QJA）：191 ℃/W
DFN-8（QJA）：59 ℃/W
**功率消耗為：PD(max) = （TJ(max)-TA）/ θJA，其中，TJ為節點溫度，TA為環境溫度，θJA為熱阻。
當芯片超過了**允許功耗時，節點溫度會過高，從而芯片進入熱保護模式。
由熱阻求某個封裝功耗--523mW：
SP6205-ADJ（SOT-23-5封裝）的**功耗為：
PD(max) = ( 125℃ – 25℃ ) / (191 ℃/W) = 523 mW
實際工作過程中，芯片功耗為：
PD = ( Vin – Vout)*Iout + Vin * IGND （1）
通常，IGND為uA級（比如：SP6205在500mA輸出時的IGND=0.35mA），若要求不是特別**，基本可忽略Vin*IGND該項的影響。
因此，芯片實際工作時的功耗必須限制在**允許功耗范圍內，超過PD(max)則芯片進入熱保護模式。
根據式（1），我們就可以算出以下參數：
（a）在已知輸入輸出壓差的條件下，得出**輸出電流
例如：輸入電壓5V，輸出電壓3V，則：
523mW = (5V – 3V)*I(load(max)) + 5V * 0.35mA，
則 I(load(max)) = 260.6mA。
（b）在已知負載電流的條件下，得出輸入輸出允許**壓差
例如：輸出電壓為3V，負載電流為400mA，則：
523mW = （Vin – 3V）* 400mA + Vin * 0.35mA，
則 Vin(max) = 4.3V，△Vmax=1.3V。
所以，在LDO電源芯片選型的過程中，應該根據實際情況的需求，認真考慮其熱阻參數。
從以上分析可見，LDO的熱阻參數對其它參數（如輸出電流、輸入輸出壓差等）是有較大影響的，必須予以考慮。選型時應盡量選擇熱阻小的芯片或封裝，尤其是同一型號芯片的不同封裝，其熱阻會相差較大，比如以上電源芯片SP6205的DFN-8封裝，其熱阻就只有59℃/W，較之SOT-23-5封裝的191℃/W小了不少。
